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Si5432DC
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
100
0.050
0.040
I D = 8 .3 A
10
T J = 150 °C
T J = 25 °C
0.030
0.020
T J = 125 °C
T J = 25 °C
0.010
1
0.000
0.0
0.2
0.4
0.6
0. 8
1.0
1.2
0
1
2
3
4
5
1.4
V SD - So u rce-to-Drain V oltage ( V )
Source-Drain Diode Forward Voltage
50
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
1.2
1.0
0. 8
0.6
0.4
I D = 250 μ A
40
30
20
10
0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0.001
0.01
0.1
1
10
100
600
T J - Temperat u re (°C)
Threshold Voltage
100
10
Limited by R DS(on) *
100 μ s
1 ms
Time (s)
Single Pulse Power
1
10 ms
100 ms
0.1
T A = 25 °C
B V DSS
Limited
1s
10 s
DC
Single P u lse
0.01
www.vishay.com
4
0.1
1 10 100
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
* V GS > minim u m V GS at w hich R DS(on) is specified
Safe Operating Area, Junction-to-Ambient
Document Number: 68925
S-82293-Rev. A, 22-Sep-08
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